芯片散热有了新思路我国科学家开发出介电基底修饰新技术

发布日期： 2019-03-18 10:05

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芯片散热有了新思路我国科学家开发出介电基底修饰新技术新华社上海3月16日电(记者吴振东)半导体芯片运算速度越来越快，但随之而来的芯片发热问题困扰着业界和学界。复旦大学科

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芯片散热有了新思路我国科学家开发出介电基底修饰新技术

新华社上海3月16日电(记者吴振东)半导体芯片运算速度越来越快，但随之而来的芯片发热问题困扰着业界和学界。复旦大学科研团队新近开发出一种介电基底修饰新技术，有望解决芯片散热问题。相关研究成果在线发表于权威科学期刊《自然·通讯》。

研究表明，在一个芯片中，半导体材料和绝缘体材料之间，以六方氮化硼为材质的界面材料，将对其电子迁移率和散热产生至关重要的影响。传统方式是，研究人员先将其在别的“盆”里种出来，然后移栽到芯片材料上。

复旦大学聚合物分子工程国家重点实验室研究员魏大程带领团队，开发了一种共形六方氮化硼修饰技术，在最低温度300摄氏度的条件下，无需催化剂直接在二氧化硅/硅片(SiO2/Si)、石英、蓝宝石、单晶硅基底表面“生长”高质量六方氮化硼薄膜。这一带来“无缝”效果的共形修饰技术，能让芯片材料性能显著提升。

专家表示，这一技术具有高普适性，不仅可以应用于基于二硒化钨材料的晶体管器件，还可以推广到其他材料和更多器件应用中，共形六方氮化硼也具有规模化生产和应用的巨大潜力。

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